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iPS細胞使い、認知症発生の一端解明 予防薬開発に期待

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iPS細胞使い、認知症発生の一端解明 予防薬開発に期待

 認知症の原因となる神経の病気「前頭側頭葉変性症」が発生するメカニズム(仕組み)の一端を、患者から作製した人工多能性幹細胞(iPS細胞)を使って解明したと、京都大iPS細胞研究所(CiRA)の井上治久教授(幹細胞医学)らの研究チームが10日付の英科学誌「サイエンティフィック・リポーツ」電子版に発表した。同症を防ぐ予防薬の開発などに今後、つながる可能性があるという。

 チームによると、前頭側頭葉変性症患者のiPS細胞から大脳皮質神経細胞を作製し、細胞レベルで“脳内”を再現。健常者由来のものなどと比べ、神経変性疾患を引き起こすとされる異常に折りたたまれたタンパク質が蓄積していることが分かった。

 さらに、蓄積の原因は神経細胞間での情報伝達に欠かせないカルシウムイオンと判明。神経細胞に電気刺激を与えると、健常者に比べ、カルシウムイオンの増加率が異常に高くなり、細胞死を引き起こしやすいことが分かった。

 一方、健常者由来の神経細胞と比べ、患者由来のものはiPS細胞から神経細胞への分化のしやすさなどに差はなかったという。

 井上教授は、今回解明したメカニズムを生かし「中枢神経細胞の病気への理解を深めるとともに、新薬開発などにもつなげていきたい」と話した。

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