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東芝、256ギガビットの超大容量フラッシュメモリー開発 世界初の3次元48層プロセスで

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東芝、256ギガビットの超大容量フラッシュメモリー開発 世界初の3次元48層プロセスで

 東芝は4日、記憶容量を256ギガビットへと超大容量化した48層のメモリー半導体「3次元フラッシュメモリー」を世界で初めて開発した、と発表した。9月からサンプル出荷を始め、来年から量産出荷する。

 現行製品よりも書き込み速度や書き換え寿命が向上。メモリーカード、スマートフォンなどの小型機器からデータセンター用サーバーのシリコンディスクまで幅広い用途に供給する。

 三重県の四日市工場第5製造棟で製造を初め、2016年前半に完成予定の新第2製造棟でも製造する予定。

 メモリー素子を垂直に積載する3次元メモリーは従来の製造方法よりも記憶容量が大幅に増え、次世代の半導体とされる。情報端末向けに開発競争は激しくなっており、需要も伸びる見通しだ。

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