半導体開発で日米協力推進 経産相が米で先端施設視察

半導体製造装置を視察する萩生田経産相(右)=3日、米ニューヨーク州オールバニ(共同)
半導体製造装置を視察する萩生田経産相(右)=3日、米ニューヨーク州オールバニ(共同)

萩生田光一経済産業相は3日、米ニューヨーク州オールバニを訪問し、日米の企業が参画する次世代半導体の研究開発施設を視察した。米IBMや日本の半導体関連企業と意見交換し、日米の協力推進と産官学の連携強化を図る考えを示した。

萩生田氏は経済安全保障の観点からも次世代技術の開発が重要だと指摘し、「同盟国である日米で、これまで以上に一体となって取り組みを推進したい」と述べた。

施設はニューヨーク州とIBMが中心となって運営し、ニューヨーク州立大学や東京エレクトロン、SCREENホールディングスなども参画している。IBMは同施設を拠点として回路線幅が2ナノメートル(ナノは10億分の1)の次世代半導体の開発に成功し、電子機器の速度と性能の向上につながると期待されている。

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